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规格书 |
NTD5803N |
文档 |
Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 2,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 40V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 76A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 7.2 mOhm @ 50A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 51nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 3220pF @ 25V |
功率 - 最大 | 83W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
供应商器件封装 | D-Pak |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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